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多種焊錫沉積技術(shù)用于形成 WLCSP 和倒裝芯片互連的焊錫凸點(diǎn)。

PacTech采用化學(xué)鍍鎳工藝來(lái)沉積底部凸起金屬（UBM），并使用三種不同的技術(shù)來(lái)沉積/返工焊球：

使用 SB2 技術(shù)的單顆激光噴射焊料

使用Ultra-SB2技術(shù)的焊球轉(zhuǎn)移
焊料球返工 (去球和重球)

選擇這些焊料沉積技術(shù)取決于產(chǎn)品類(lèi)型、凸點(diǎn)高度要求、焊盤(pán)間距和需要凸起的數(shù)量。

倒裝芯片凸點(diǎn)和晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝凸點(diǎn)概述：

晶圓凸點(diǎn)通常分為兩個(gè)不同的類(lèi)別：倒裝芯片(FC) 凸點(diǎn)和晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝 (WLCSP)凸點(diǎn) 。這種分類(lèi)及其相關(guān)術(shù)語(yǔ)部分取決于焊料凸點(diǎn)的尺寸和用于創(chuàng)建凸點(diǎn)的設(shè)備類(lèi)型。

“倒裝芯片凸點(diǎn)”是指半導(dǎo)體晶圓上的凸點(diǎn)，其高度范圍為 50 至 200 μm，通常使用底層填充材料將芯片和基板組裝在一起。

“晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝凸點(diǎn)”是指高度范圍為 200 至 500 μm 的凸點(diǎn)，通常在組裝過(guò)程中不使用底層填充材料。